Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Причины выбрать
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.2 12.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.6 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

39 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.1 18.2
Скорость записи, Гб/сек

9.8 14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2453 3535

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

Kingston 9905702-082.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

модули RAM

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB

модули RAM

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

Kingston 9965589-006.E00G 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB

модули RAM