RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
28
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
28
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
15.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3693
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link