RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
29
Около 41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
29
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
15.4
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3673
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link