RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
31
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
17.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
14.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
31
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
17.3
Скорость записи, Гб/сек
15.4
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
3112
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link