RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
46
Около 63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
46
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
15.4
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2660
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link