RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
24
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
24
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
15.4
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2852
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link