RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB против SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
17
36
Около 53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.8
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
10.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
17
36
Скорость чтения, Гб/сек
22.8
13.4
Скорость записи, Гб/сек
15.4
10.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3391
2466
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Сравнения RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link