Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.4 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 18.4
Скорость записи, Гб/сек

7.4 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 3443

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

Kingston 9905701-006.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB

модули RAM

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB

модули RAM