RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.4
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3559
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link