RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.4
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3055
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Korea Uhbele International Group Ltd. DDS3 1600K 4GB LV
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link