RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
37
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
18.7
Скорость записи, Гб/сек
7.4
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
3238
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link