RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сравнить
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
37
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
11.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.4
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1683
2751
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2400C11-8-SR 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link