Corsair VS1GB800D2 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

-->

Средняя оценка

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair VS1GB800D2 1GB

Причины выбрать
Corsair VS1GB800D2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.8

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 47

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.3 1,361.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair VS1GB800D2 1GB

G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 31
Скорость чтения, Гб/сек

4,680.7 17.8
Скорость записи, Гб/сек

1,361.1 15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

460 3707

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

Team Group Inc. DDR4 3600 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB

модули RAM