RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
51
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,839.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,246.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,839.1
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
721
3134
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link