RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
9.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.7
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2636
3014
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB Сравнения RAM
Kingston HX316C10F/4 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link