Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    17 left arrow 13.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.5 left arrow 11.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 31
    Около -15% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    17.0 left arrow 13.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    12.5 left arrow 11.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    19200 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3282 left arrow 2430
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения