RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
12.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
12.7
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2969
3929
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link