RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.3
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.0
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2878
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99P5471-021.A00LF 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link