Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Средняя оценка

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

18 29

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

21.2 16.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

17.7 12.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 18
Скорость чтения, Гб/сек

16.9 21.2
Скорость записи, Гб/сек

12.0 17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2601 3663

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G6400LLK 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G6400LLK 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905402-665.A00LF 4GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB

модули RAM