RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.6
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
22.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
19.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
4052
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link