RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около -12% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
11.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
1884
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link