RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
43
Около 33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
43
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2864
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link