RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
10.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2237
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link