RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.6
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2812
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link