RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.5
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
19.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3430
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link