RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2829
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link