RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
34
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2739
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link