RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
53
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
53
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
10.3
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2356
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link