RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
59
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2025
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU7AFR8C
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link