Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Средняя оценка

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 34

Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 14.9

Среднее значение в тестах

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Причины выбрать
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.1 12.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 19200

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

29 34
Скорость чтения, Гб/сек

16.9 14.9
Скорость записи, Гб/сек

12.0 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 21300

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2601 2780

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB

модули RAM

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB

модули RAM