RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
37
Около 22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2179
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link