RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
29
Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
12.0
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
3529
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link