RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
33
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
8.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
15.0
Скорость записи, Гб/сек
12.0
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2524
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link