RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB против Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Средняя оценка
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
32
Около 9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
11.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
9.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.9
11.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2601
2386
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston 9905403-038.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link