RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2911
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link