RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около 8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.4
Скорость записи, Гб/сек
11.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2497
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link