RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
24
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
19
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
20.0
Скорость записи, Гб/сек
11.0
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
3192
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link