RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
2307
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Jinyu 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link