RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB против Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Средняя оценка
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
32
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.5
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
8.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
11.9
Скорость записи, Гб/сек
11.0
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2445
1875
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link