RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
41
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
8.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
20.5
Скорость записи, Гб/сек
8.8
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2394
3616
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link