RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
66
Около -164% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
8.3
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1810
2786
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Сравнения RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9905428-093.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link