Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 34

Около 32% меньшая задержка

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.8 13.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.8 9.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

23 34
Скорость чтения, Гб/сек

13.6 15.8
Скорость записи, Гб/сек

9.4 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2096 2917

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB

модули RAM

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB

Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB

Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB

Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB

модули RAM

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

модули RAM