RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
31
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
9.4
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
3711
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link