RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
37
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
9.4
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2213
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link