RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
27
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2409
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link