RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
34
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
34
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.4
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2812
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link