RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сравнить
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB против Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Средняя оценка
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около 39% меньшая задержка
Причины выбрать
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
9.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
23
38
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.4
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2096
2451
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0. 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link