RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Средняя оценка
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2209
3219
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link