Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB против Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

-->

Средняя оценка

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Средняя оценка

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

40 67

Около 40% меньшая задержка

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 67
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 16.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2209 2030

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB

модули RAM

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB

AMD R748G2400S2S 8GB

AMD R748G2400S2S 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N

модули RAM

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

модули RAM