RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB против Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Средняя оценка
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
76
Около 46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
10.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
76
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
10.3
Скорость записи, Гб/сек
8.9
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2412
1260
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G3D1609DS1S00. 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link